SRAM・フラッシュメモリ

低電圧でのSRAMの書き込み失敗を防ぐ「書き込みアシスト」の例として正しいものはどれか。

  1. A書き込み時に0側のビット線をわずかに負の電圧に引き下げる
  2. Bセルの電源電圧を書き込み時に上げる
  3. Cワード線の電圧を下げる
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正解：A. 書き込み時に0側のビット線をわずかに負の電圧に引き下げる

低電圧ではアクセストランジスタの駆動力が不足し、セルのプルアップに打ち勝てずに書き込みに失敗しやすくなります。0を書く側のビット線を負の電圧まで引き下げる(負ビット線方式)と、アクセストランジスタの駆動力が増えて書き込みやすくなります。書き込み時にセルの電源電圧を下げる方式も使われます。

  • A. 正しい。負ビット線で書き込みを助けます。
  • B. 書き込み時にはセルの電源電圧を下げる方が、セルを反転させやすくなります。
  • C. ワード線を下げるとアクセストランジスタが弱まり、書き込みは難しくなります。
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