SRAM・フラッシュメモリ

3D NANDで多く使われている電荷トラップ型セルで、電荷を蓄える層の材料として一般的なものはどれか。

  1. A銅
  2. Bシリコン窒化膜(SiN)
  3. Cアルミニウム
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正解：B. シリコン窒化膜(SiN)

電荷トラップ型セルでは、導電性のフローティングゲートの代わりに、絶縁体であるシリコン窒化膜の中の捕獲準位(トラップ)に電子を蓄えます。電荷が膜中に局在するため隣のセルへの干渉が小さく、縦に積み上げる3D NANDの構造とも相性がよいとされています。

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