SRAM・フラッシュメモリ

EEPROMとフラッシュメモリの違いとして正しいものはどれか。

  1. AEEPROMは書き換えができない
  2. BEEPROMは揮発性で、フラッシュメモリは不揮発性である
  3. CEEPROMはバイト単位で書き換えられるが、フラッシュメモリはブロックなどまとまった単位で一括消去する
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正解：C. EEPROMはバイト単位で書き換えられるが、フラッシュメモリはブロックなどまとまった単位で一括消去する

EEPROMは、1バイト単位で消去・書き換えができる不揮発性メモリで、設定値の保存など少量のデータに向いています。フラッシュメモリは、消去をブロック単位などで一括して行うことで、セルを小さくし大容量化したものです。

  • A. EEPROMは電気的に書き換えられるROMです。
  • B. EEPROMもフラッシュメモリも不揮発性です。
  • C. 正しい。書き換えの単位の違いです。
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