SRAM・フラッシュメモリ

フラッシュメモリの書き換え可能回数に上限がある主な理由はどれか。

  1. A書き換えを繰り返すと、電子が通過するトンネル酸化膜が劣化するため
  2. Bキャパシタの容量が増えるため
  3. C配線が伸びるため
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正解：A. 書き換えを繰り返すと、電子が通過するトンネル酸化膜が劣化するため

フラッシュメモリでは、書き込みや消去のたびに高い電界で電子がトンネル酸化膜を通過します。これを繰り返すと酸化膜中に欠陥ができ、電子を保持しにくくなります。そのため書き換え回数には上限があり、多値化するほど上限は小さくなる傾向があります。

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