SRAM・フラッシュメモリ

SRAMセルの安定性を表す静的雑音余裕(SNM)の説明として正しいものはどれか。

  1. Aセルが保持状態を反転させずに耐えられる雑音電圧の大きさで、バタフライ曲線から求める
  2. Bセルの消費電流
  3. Cセルの読み出しにかかる時間
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正解：A. セルが保持状態を反転させずに耐えられる雑音電圧の大きさで、バタフライ曲線から求める

SNMは、SRAMセルを構成する2つのインバータの入出力特性を重ねたバタフライ曲線の、内側に入る最大の正方形の一辺で表されます。これが大きいほど雑音に強く、データが反転しにくいセルです。読み出し時はアクセストランジスタの影響でSNMが小さくなります。

  • A. 正しい。バタフライ曲線から求める雑音余裕です。
  • B. 消費電流はSNMとは別の特性です。
  • C. 読み出し時間はアクセス時間で、SNMではありません。
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