SRAM・フラッシュメモリ

3D NAND型フラッシュメモリの説明として正しいものはどれか。

  1. Aメモリセルを垂直方向に多数積層して大容量化したもの
  2. B3種類の電源電圧で動作するもの
  3. C1セルに3ビットを記憶するもの
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正解：A. メモリセルを垂直方向に多数積層して大容量化したもの

平面での微細化に限界が近づいたため、NANDフラッシュではメモリセルを縦方向に何十〜何百層も積み重ねる3D NANDが主流になりました。積層によってセルの寸法をむやみに縮めずに大容量化できます。1セルに3ビットを記憶する方式はTLCと呼ばれ、3D NANDと組み合わせて使われています。

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