ウェアレベリングとは
うぇあれべりんぐ
フラッシュメモリの書き換えが特定のブロックに集中しないよう、書き込み先を分散させて寿命を延ばす技術。
この用語の分野: SRAM・フラッシュメモリ
うぇあれべりんぐ
フラッシュメモリの書き換えが特定のブロックに集中しないよう、書き込み先を分散させて寿命を延ばす技術。
この用語の分野: SRAM・フラッシュメモリ
ウェアレベリングでは、コントローラが論理アドレスと物理ブロックの対応表(FTL)を管理し、書き込みを消去回数の少ないブロックへ振り分けます。
SSDなどで使われるウェアレベリングの目的として正しいものはどれか。USBメモリやSDカード、SSDには、大容量で安価な不揮発性メモリであるNANDフラッシュが使われ、内部にはNANDチップと、誤り訂正やウェアレベリングを担うコントローラが入っています。
USBメモリやSDカードに主に使われているメモリはどれか。SSDの寿命はTBW(総書き込み量)やDWPD(1日に全容量を何回書けるか)で表され、ウェアレベリングや余剰領域で延ばしています。
SLC型のNANDフラッシュメモリの書き換え可能回数の目安として最も近いものはどれか。不揮発性メモリ SLC(シングルレベルセル) TLC(トリプルレベルセル) NVMe FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム) 書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション) ガベージコレクション 3D NAND 電荷トラップ型セル TRIM