フラッシュメモリのデータの書き込み・消去の原理として正しいものはどれか。

正解：C. フローティングゲートや電荷トラップ層に電子を出し入れし、トランジスタのしきい値電圧を変える

フラッシュメモリのセルは、ゲートの下に電子を蓄えるフローティングゲート(または電荷トラップ層)をもつトランジスタです。高い電圧をかけてトンネル電流などで電子を出し入れすると、しきい値電圧が変わり、その違いで0と1を区別します。電子は絶縁膜に囲まれているため、電源を切っても保持されます。