SRAM・フラッシュメモリ

SSDの「書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション)」の説明として正しいものはどれか。

  1. A書き込み速度が2倍になること
  2. B書き込み電圧が通常より高くなること
  3. Cホストが書いたデータ量より、フラッシュメモリに実際に書き込まれるデータ量が多くなること
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正解:C. ホストが書いたデータ量より、フラッシュメモリに実際に書き込まれるデータ量が多くなること

フラッシュメモリは上書きができず消去がブロック単位のため、ガベージコレクションで有効なデータを別のブロックへコピーするなどの追加の書き込みが発生します。その結果、実際の書き込み量はホストが書いた量より多くなります。この比が大きいほど寿命が縮み、性能も下がります。

  • A. 書き込み増幅は性能を下げる方向の現象です。
  • B. 電圧の大きさとは関係ありません。
  • C. 正しい。実際の書き込み量がホストの書き込み量より多くなる現象です。
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