SRAM・フラッシュメモリ
SSDの「書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション)」の説明として正しいものはどれか。
- A書き込み速度が2倍になること
- B書き込み電圧が通常より高くなること
- Cホストが書いたデータ量より、フラッシュメモリに実際に書き込まれるデータ量が多くなること
答えと解説を見る
正解:C. ホストが書いたデータ量より、フラッシュメモリに実際に書き込まれるデータ量が多くなること
フラッシュメモリは上書きができず消去がブロック単位のため、ガベージコレクションで有効なデータを別のブロックへコピーするなどの追加の書き込みが発生します。その結果、実際の書き込み量はホストが書いた量より多くなります。この比が大きいほど寿命が縮み、性能も下がります。
- A. 書き込み増幅は性能を下げる方向の現象です。
- B. 電圧の大きさとは関係ありません。
- C. 正しい。実際の書き込み量がホストの書き込み量より多くなる現象です。