SRAM・フラッシュメモリ

NAND型フラッシュメモリの書き込み(プログラム)で主に使われる電子の注入方式はどれか。

  1. AFN(ファウラー・ノルドハイム)トンネル電流
  2. B光による電子の励起
  3. C磁界による電子の移動
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正解：A. FN(ファウラー・ノルドハイム)トンネル電流

NAND型では、制御ゲートに高い電圧をかけて、薄いトンネル酸化膜を通してチャネルから電荷蓄積層に電子を注入します。この量子力学的なトンネル電流をFNトンネル電流といいます。電流が小さいため、多数のセルを同時に書き込めます。NOR型ではチャネルホットエレクトロン注入もよく使われます。

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