SRAM・フラッシュメモリ

SRAMで、待機中に電源電圧を下げてリーク電流を減らすときの下限を決める「データ保持電圧」の説明として正しいものはどれか。

  1. A読み書きはしないが、セルが記憶内容を失わずに保てる最低の電源電圧
  2. B読み出しに必要な最大電圧
  3. C書き込みに必要な電圧
答えと解説を見る

正解：A. 読み書きはしないが、セルが記憶内容を失わずに保てる最低の電源電圧

SRAMセルは、読み書きをしない待機状態であれば、通常の動作電圧より低い電圧でもデータを保持できます。データを失わない最低の電圧をデータ保持電圧(DRV)といい、待機時にこの電圧近くまで下げることでリーク電流を大きく減らせます。

  • A. 正しい。記憶を保てる最低の電源電圧です。
  • B. データ保持電圧は最低の電圧に関する指標です。
  • C. 書き込みには、保持よりも高い電圧が必要です。
この分野を解く 分野ページへ

SRAM・フラッシュメモリのほかの問題

  1. 6T SRAMセルで、読み出し時にセルの内容が反転しない(読み出し破壊を防ぐ)ために必要な設計として正しいものはどれか。
  2. 低電圧でのSRAMの書き込み失敗を防ぐ「書き込みアシスト」の例として正しいものはどれか。
  3. 多値(MLCやTLC)のNANDフラッシュで、隣り合うしきい値電圧の状態に割り当てるビットの並びを、1ビットだけ異なるようにする理由として正しいものはどれか。
  4. 3D NANDで、積み重ねた各層のワード線に配線をつなぐために、端部を階段状に加工した構造を何と呼ぶか。
  5. 3D NANDで、メモリセルアレイの下にセンスアンプなどの周辺回路を配置する構造(CMOS under Arrayなど)の主な利点はどれか。