SRAM・フラッシュメモリ

SRAMセルへの書き込みでは、ビット線の一方を0 Vに引き下げてセルの状態を反転させる。このとき、アクセストランジスタに求められる条件として正しいものはどれか。

  1. Aセル内のプルアップトランジスタ(pMOS)より十分強い駆動力をもつこと
  2. Bセル内のどのトランジスタよりも弱い駆動力をもつこと
  3. C常にオフのままであること
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正解：A. セル内のプルアップトランジスタ(pMOS)より十分強い駆動力をもつこと

書き込みでは、アクセストランジスタを通して記憶ノードを0に引き下げる必要があります。そのとき、記憶ノードを1に保とうとするプルアップのpMOSに打ち勝つ必要があるため、アクセストランジスタの駆動力はpMOSより十分強く設計します。一方、読み出しの安定性のためには、プルダウンのnMOSよりは弱くします。

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