SRAM・フラッシュメモリ

3D NANDで、積み重ねた各層のワード線に配線をつなぐために、端部を階段状に加工した構造を何と呼ぶか。

  1. A階段(ステアケース)構造
  2. Bダマシン構造
  3. Cトレンチ構造
答えと解説を見る

正解：A. 階段(ステアケース)構造

3D NANDでは、ワード線となる導電層が何十〜何百層も積み重なっているため、各層に個別に電極をつなぐ必要があります。そこでアレイの端を階段状に加工し、各層の上面を露出させてコンタクトを立てます。層数が増えるほど階段の加工が難しくなり、面積も必要になります。

  • A. 正しい。各層に接続するための階段状の構造です。
  • B. ダマシンは溝に金属を埋め込んで配線をつくる工程です。
  • C. トレンチは基板に掘った溝のことで、各層への接続構造ではありません。
この分野を解く 分野ページへ

SRAM・フラッシュメモリのほかの問題

  1. 3D NANDで、メモリセルアレイの下にセンスアンプなどの周辺回路を配置する構造(CMOS under Arrayなど)の主な利点はどれか。
  2. 一般的な6トランジスタ型SRAMセルの構成として正しいものはどれか。
  3. NOR型と比べたときのNAND型フラッシュメモリの特徴として正しいものはどれか。
  4. フラッシュメモリで、1つのメモリセルに3ビットの情報を記憶する方式を何と呼ぶか。
  5. フラッシュメモリのデータの書き込み・消去の原理として正しいものはどれか。