SRAM・フラッシュメモリ
6T SRAMセルで、読み出し時にセルの内容が反転しない(読み出し破壊を防ぐ)ために必要な設計として正しいものはどれか。
- Aアクセストランジスタをプルダウントランジスタより強くする
- Bプルアップトランジスタを取り除く
- Cプルダウン(駆動)トランジスタをアクセストランジスタより強くする
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正解:C. プルダウン(駆動)トランジスタをアクセストランジスタより強くする
読み出し時、0を保持しているノードにはアクセストランジスタを通してプリチャージされたビット線から電流が流れ込み、電圧が少し上がります。プルダウントランジスタがアクセストランジスタより十分強ければ(セル比 β > 1)、この上昇が小さく抑えられ、反対側のインバータが反転しません。
- A. アクセストランジスタが強すぎると、読み出し時にセルが反転しやすくなります。
- B. プルアップトランジスタがないとセルは1を保持できません。
- C. 正しい。プルダウンをアクセスより強くして、0のノードの浮き上がりを抑えます。