SRAM・フラッシュメモリ

近年の先端プロセスで、ロジック回路に比べてSRAMセルの面積が縮小しにくくなっている理由として最も適切なものはどれか。

  1. Aトランジスタ特性のばらつきの影響を受けやすく、安定な読み書きのための余裕を確保するのが難しいため
  2. BSRAMにはトランジスタが使われていないため
  3. CSRAMには大きなキャパシタが必要なため
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正解：A. トランジスタ特性のばらつきの影響を受けやすく、安定な読み書きのための余裕を確保するのが難しいため

SRAMセルは最小寸法に近いトランジスタを6個組み合わせ、それらの特性のバランスで安定性を保っています。微細化するとトランジスタのばらつきが相対的に大きくなり、読み書きの余裕(マージン)を確保するのが難しくなるため、ロジックほどセル面積を縮小できなくなっています。

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