選択比とは

せんたくひ

エッチングで、削りたい膜とマスクや下地膜とのエッチング速度の比。大きいほど下地を傷めにくい。

この用語の分野: エッチング

解説の中の「選択比」

「選択比」が出てくる問題(17問)

  1. エッチングにおける「選択比」の説明として正しいものはどれか。
  2. 酸化膜のエッチング速度が100 nm/min、マスクの削れる速度が20 nm/minのとき、マスクに対する選択比はいくらか。
  3. STI形成のCMPで、シリコン窒化膜に対する酸化膜の研磨選択比を高くするためによく使われる研磨粒子はどれか。
  4. ナノシート型GAAトランジスタの製造で、SiとSiGeを交互に積み重ねた層からSiGe層だけを選択的に除去する理由として正しいものはどれか。
  5. シリコン窒化膜(Si3N4)の用途として正しいものはどれか。
  6. ウェットエッチングの一般的な特徴として正しいものはどれか。
  7. エッチングで形成した穴や溝のアスペクト比とは何か。
  8. ポリシリコンゲートのドライエッチングによく使われるガスはどれか。
  9. シリコン窒化膜のウェットエッチングに一般的に使われる薬液はどれか。
  10. エッチングの終点を検出したあと、ウエハ全面で膜を確実に除去するために、さらに一定時間エッチングを続けることを何と呼ぶか。
  11. 酸化膜をエッチングして、下にある窒化膜のところで止めたい場合に必要なものはどれか。
  12. 微細なパターンを深く加工するため、下から有機膜(炭素膜)、シリコンを含む中間膜、レジストの3層を重ねて使うマスクの方式を何と呼ぶか。
  13. MEMSの犠牲層除去などで、プラズマを使わずにシリコンを等方的にエッチングできる気体はどれか。
  14. ゲート電極のエッチングで、下地の薄いゲート絶縁膜を残すために一般的に行われる工夫はどれか。
  15. フッ素系ガスによるエッチングに酸素を少し加えたときの効果として一般的に正しいものはどれか。

関連する用語

STI(シャロートレンチ分離) CMP プラズマ ハードマスク LOCOS コンタクト ウェットエッチング ドライエッチング 3D NAND ラジカル

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