STI(シャロートレンチ分離)とは
えすてぃーあい
シリコンに浅い溝を掘って絶縁膜を埋め込み、CMPで平坦化して素子どうしを分離する方法。LOCOSのバーズビークがなく、微細なLSIの素子分離の標準になっている。
この用語の分野: 酸化・拡散
解説の中の「STI(シャロートレンチ分離)」
窒化膜をストッパーとして使うSTIのCMPで、平坦性と研磨の止まりやすさを両立させるために使われます。
STI形成のCMPで、シリコン窒化膜に対する酸化膜の研磨選択比を高くするためによく使われる研磨粒子はどれか。現在の微細なLSIでは、シリコンに深さ200〜300 nm程度の浅い溝を掘り、CVDの酸化膜を埋め込んでCMPで平坦化するSTIが主に使われます。
微細なLSIの素子分離に主に使われている方法はどれか。面方位による速度の差が小さく、STIの溝の角も丸く均一に酸化できるため、ライナー酸化膜や、ゲート酸化膜、窒化膜の再酸化などに使われます。
ウエハ表面の近くで水素と酸素を反応させ、短時間で良質な薄い酸化膜をつくる方法はどれか。
「STI(シャロートレンチ分離)」が出てくる問題(13問)
- STI形成のCMPで、シリコン窒化膜に対する酸化膜の研磨選択比を高くするためによく使われる研磨粒子はどれか。
- 微細なLSIの素子分離に主に使われている方法はどれか。
- ウエハ表面の近くで水素と酸素を反応させ、短時間で良質な薄い酸化膜をつくる方法はどれか。
- LOCOS(選択酸化)で、窒化膜マスクの端の下に酸化膜が鳥のくちばし状に食い込む現象を何と呼ぶか。
- シリコンの熱酸化膜の代表的な使われ方として正しいものはどれか。
- 熱酸化で生じた酸化膜の圧縮応力が、およそ950℃以上の高温の酸化では小さくなる主な理由はどれか。
- 高密度プラズマCVD(HDP-CVD)が、狭い溝の絶縁膜埋め込みに使われてきた理由として正しいものはどれか。
- シリコン窒化膜(Si3N4)の用途として正しいものはどれか。
- 非常に狭く深い溝を、流動性のある膜で下から埋めてから固化させる成膜方法として正しいものはどれか。
- シリコン窒化膜のウェットエッチングに一般的に使われる薬液はどれか。
- ドライエッチングで、溝の底の側壁際が中央より深く掘れて細い溝ができる形状異常を何と呼ぶか。
- CMPが使われる工程の組み合わせとして正しいものはどれか。
- 研磨粒子をスラリーに入れる代わりに、研磨パッドの中に固定しておく方式のCMPはどれか。