ドライエッチングとは

どらいえっちんぐ

薬液を使わず、プラズマやガスで膜を削る方法。イオンの衝撃を組み合わせることで異方性の加工ができ、微細なパターンの形成に欠かせない。

この用語の分野: エッチング

解説の中の「ドライエッチング」

「ドライエッチング」が出てくる問題(14問)

  1. ドライエッチングの終点検出によく使われる方法はどれか。
  2. ポリシリコンゲートのドライエッチングによく使われるガスはどれか。
  3. ドライエッチングで異方性が得られる仕組みの一つとして正しいものはどれか。
  4. GaNのドライエッチングに一般的に使われるガスはどれか。
  5. Cu配線をドライエッチングで直接加工するのが難しい理由として正しいものはどれか。
  6. ドライエッチングのあとに、パターンの側壁などに残った反応生成物(ポリマー)を除去する理由として正しいものはどれか。
  7. ドライエッチングで使われる「プラズマ」の説明として正しいものはどれか。
  8. ドライエッチングで、溝の底の側壁際が中央より深く掘れて細い溝ができる形状異常を何と呼ぶか。
  9. シリコンにXeF2のガスとアルゴンイオンのビームを同時に当てると、それぞれ単独の場合の和よりはるかに速くエッチングが進む。このことが示すドライエッチングの性質はどれか。
  10. シリコン酸化膜(SiO2)のドライエッチングに主に使われるガスはどれか。
  11. アルミニウム配線の膜をつくるのに主に使われてきた成膜方法はどれか。
  12. ウェットエッチングの一般的な特徴として正しいものはどれか。
  13. 反応性イオンエッチング(RIE)の説明として正しいものはどれか。
  14. 先端LSIの配線材料が、アルミニウム(Al)から銅(Cu)に置き換えられた主な理由はどれか。

関連する用語

プラズマ 選択比 ウェットエッチング ダマシン法 ラジカル RIE(反応性イオンエッチング) エレクトロマイグレーション 終点検出 GaN(窒化ガリウム) ICP(誘導結合プラズマ)

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