エッチング

MEMSの犠牲層除去などで、プラズマを使わずにシリコンを等方的にエッチングできる気体はどれか。

  1. AO2(酸素)
  2. BN2(窒素)
  3. CXeF2(二フッ化キセノン)
答えと解説を見る

正解：C. XeF2(二フッ化キセノン)

XeF2は室温付近でシリコンと自発的に反応してSiF4などをつくり、プラズマなしで等方的にシリコンをエッチングします。酸化膜や窒化膜、多くの金属に対する選択比が高く、液体を使わないためスティクションが起きにくいことから、MEMSの構造の解放などに使われます。

  • A. 酸素はレジストなどの有機物の除去に使われます。
  • B. 窒素はシリコンをエッチングしません。
  • C. 正しい。プラズマなしでシリコンをエッチングできる気体です。
この分野を解く 分野ページへ

エッチングのほかの問題

  1. 露光でつくったレジストのパターンを、プラズマで少しずつ細らせて、露光の限界より細い線をつくる手法はどれか。
  2. ゲート電極のエッチングで、下地の薄いゲート絶縁膜を残すために一般的に行われる工夫はどれか。
  3. 厚さ1 µmの膜を、完全に等方的なウェットエッチングでちょうど下地まで削ったとき、マスクの端から横方向に削れる量(アンダーカット)のおよその大きさはどれか。
  4. エッチングでできた穴や溝の側壁が垂直からどれだけ傾いているかを表す指標はどれか。
  5. フッ素系ガスによるエッチングに酸素を少し加えたときの効果として一般的に正しいものはどれか。