什麼是蝕刻選擇比

蝕刻時，想去除的薄膜與遮罩或底層薄膜之蝕刻速率比。比值越大，越不易損傷底層。

日文名稱: 選択比

「蝕刻選擇比」出現在2領域的2道練習題中（薄膜沉積（CVD與PVD）, 製程材料（氣體與藥液）等）。

這個名詞所屬的領域: 蝕刻

練習蝕刻選擇比的題目

關於氮化矽膜（Si3N4）的用途，下列何者正確？

  1. A作為閘極電極或配線的主要材料
  2. BLOCOS的氧化遮罩、CMP的停止層、表面的保護膜（鈍化層）
  3. C取代光阻
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正確答案：B. LOCOS的氧化遮罩、CMP的停止層、表面的保護膜（鈍化層）

氮化矽膜不易讓氧、水分、鈉等離子通過，質地堅硬，且容易與氧化膜取得蝕刻選擇比，因此用於選擇性氧化（LOCOS）的遮罩、STI形成時的CMP停止層、保護晶片表面的鈍化膜、蝕刻的停止層或硬遮罩、閘極的側壁間隔層、自對準接觸窗的保護等。相對介電常數約為7，因此較少用於配線之間。

在成膜或蝕刻設備中，精密量測氣體流量並將其控制為定值的設備為下列何者？

  1. A質量流量控制器（MFC）
  2. B僅壓力計
  3. C氣體鋼瓶的閥門
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正確答案：A. 質量流量控制器（MFC）

質量流量控制器是以感測器量測氣體的質量流量，並調整內建的閥門使其維持在設定值的設備。在具代表性的熱式中，是根據流經細管的氣體所帶走的熱量差來求得流量。流量的單位常使用sccm（標準狀態下每分鐘的cm³）。成膜速率、薄膜組成、蝕刻選擇比都會因流量而大幅改變，因此每條氣體管線都設置MFC。

解析中的「蝕刻選擇比」

出現「蝕刻選擇比」的題目（2題）

  1. 關於氮化矽膜（Si3N4）的用途，下列何者正確？
  2. 在成膜或蝕刻設備中，精密量測氣體流量並將其控制為定值的設備為下列何者？

相關名詞

LOCOS(局部矽氧化隔離) STI(淺溝槽隔離) CMP(化學機械研磨) 硬遮罩 接觸窗 質量流量控制器(MFC) 天線效應 灰化 自由基 自偏壓

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