InP(リン化インジウム)とは

解説の中の「InP(リン化インジウム)」

• InP基板上につくるInGaAsPなどは、組成を変えてバンドギャップを調整でき、光ファイバの損失が小さい1.3 µm帯(分散が小さい)や1.55 µm帯(損失が約0.2 dB/kmと最小)の光を発光・受光できます。

  InP(リン化インジウム)系の化合物半導体が主に使われる用途はどれか。

• GaAs系(InGaP/GaAs)HBTは単一電源で動き効率が高いため、スマートフォンの送信用パワーアンプの主流で、InP系HBTは数百GHzのfTを生かして100 Gb/s超の光通信の電子回路や、テラヘルツ帯の研究に使われています。

  InPやGaAsを使ったHBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)が用いられる用途の例として正しいものはどれか。

• In0.53Ga0.47Asのように組成を調整すると、InGaAsの格子定数をInP(約0.587 nm)とほぼ一致させられます(格子整合)。

  InP基板の上に、組成を調整したInGaAsを格子整合させて成長させる利点として正しいものはどれか。

「InP(リン化インジウム)」が出てくる問題(11問)

1. InP(リン化インジウム)系の化合物半導体が主に使われる用途はどれか。
2. InPやGaAsを使ったHBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)が用いられる用途の例として正しいものはどれか。
3. InP基板の上に、組成を調整したInGaAsを格子整合させて成長させる利点として正しいものはどれか。
4. シリコンのバンド構造の種類として正しいものはどれか。
5. シリコンのような間接遷移型の半導体で、電子と正孔が再結合して光を出す確率が低い理由として正しいものはどれか。
6. 光ファイバ通信の1.55 µm帯の光を受けるフォトダイオードに使われる材料として適切なものはどれか。
7. III-V族化合物半導体に分類されるものはどれか。
8. GaAsなどの化合物半導体ウエハの一般的な口径について正しいものはどれか。
9. シリコンと比べたときのGaAsの熱伝導率として正しいものはどれか。
10. シリコンフォトニクスで、レーザー光源に化合物半導体を組み合わせる理由として正しいものはどれか。
11. AlGaAsのような混晶半導体の格子定数が、組成に対してほぼ直線的に変化するという経験則を何と呼ぶか。

関連する用語

GaAs(ガリウムヒ素) GaN(窒化ガリウム) バンドギャップ 間接遷移型 SiC(炭化ケイ素) フォトダイオード HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) HEMT(高電子移動度トランジスタ) 移動度 直接遷移型