HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)とは

えいちびーてぃー

エミッタとベースにバンドギャップの異なる材料を使ったバイポーラトランジスタ。SiGeやGaAs系などがあり、高周波の増幅器に使われる。

この用語の分野: バイポーラトランジスタ

解説の中の「HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)」

「HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)」が出てくる問題(11問)

  1. SiGe HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)の特徴として正しいものはどれか。
  2. InPやGaAsを使ったHBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)が用いられる用途の例として正しいものはどれか。
  3. SiGe HBTのベース層を形成するのに使われる技術として正しいものはどれか。
  4. NPNトランジスタで、エミッタの不純物濃度をベースより高くする主な理由はどれか。
  5. バイポーラトランジスタのトランジション周波数fTの意味として正しいものはどれか。
  6. バイポーラトランジスタとCMOSを同じチップに集積する技術とその狙いの組み合わせとして正しいものはどれか。
  7. InP(リン化インジウム)系の化合物半導体が主に使われる用途はどれか。
  8. GaAsの高周波トランジスタとして使われてきたMESFETのゲートの構造として正しいものはどれか。
  9. シリコンゲルマニウム(SiGe)の分類として正しいものはどれか。
  10. エピタキシャル成長中に不純物を添加する方法が、熱拡散と比べて有利な点として正しいものはどれか。
  11. LSIやパワーデバイス用のシリコンエピウエハで、エピタキシャル層の厚さとして一般的な範囲はどれか。

関連する用語

SiGe(シリコンゲルマニウム) バンドギャップ InP(リン化インジウム) GaAs(ガリウムヒ素) エピタキシャル成長 電流増幅率(hFE) HEMT(高電子移動度トランジスタ) 移動度 接合容量(空乏層容量) CMOS

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