間接遷移型とは

かんせつせんいがた

伝導帯の底と価電子帯の頂上の運動量(波数)がずれているバンド構造。遷移にフォノンが必要で発光しにくい。シリコンやゲルマニウムが代表例。

この用語の分野: 半導体物性

解説の中の「間接遷移型」

「間接遷移型」が出てくる問題(6問)

  1. シリコンのような間接遷移型の半導体で、電子と正孔が再結合して光を出す確率が低い理由として正しいものはどれか。
  2. シリコンのバンド構造の種類として正しいものはどれか。
  3. 禁制帯の中にできた深い準位(トラップ)を介して電子と正孔が再結合する過程を何と呼ぶか。
  4. ガリウムヒ素(GaAs)のバンド構造として正しいものはどれか。
  5. 青色LEDの発光層に主に使われる材料はどれか。
  6. シリコンフォトニクスで、レーザー光源に化合物半導体を組み合わせる理由として正しいものはどれか。

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