半導体物性
シリコンのバンドギャップは、温度が上がるとどうなるか。
- Aわずかに小さくなる
- Bわずかに大きくなる
- C温度によらず一定である
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正解:A. わずかに小さくなる
温度が上がると、格子の熱膨張や格子振動の影響でバンドギャップはわずかに小さくなります。シリコンでは室温付近で1 Kあたり約0.3 meV小さくなります。この性質は、ダイオードの順方向電圧が温度とともに下がる一因にもなります。
- A. 正しい。温度が上がるとバンドギャップは少し小さくなります。
- B. 多くの半導体では、温度上昇でバンドギャップは小さくなります。
- C. バンドギャップは温度によってわずかに変化します。