半導体物性

シリコン中のリンがつくるドナー準位の、バンドギャップ内での位置として正しいものはどれか。

  1. A伝導帯の下端のすぐ近く(約0.045 eV下)
  2. B価電子帯の上端のすぐ近く
  3. Cバンドギャップのほぼ中央
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正解：A. 伝導帯の下端のすぐ近く(約0.045 eV下)

リンのドナー準位は伝導帯の下端から約0.045 eVと非常に浅い位置にあります。室温の熱エネルギー(約0.026 eV)でもほぼすべてのドナーがイオン化し、電子を伝導帯に供給します。バンドギャップの中央付近にできる深い準位は、金などの不純物によるものです。

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