半導体物性

室温におけるシリコン(Si)のバンドギャップに最も近い値はどれか。

  1. A約0.66 eV
  2. B約1.12 eV
  3. C約3.4 eV
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正解：B. 約1.12 eV

シリコンのバンドギャップは室温で約1.12 eVです。約0.66 eVはゲルマニウム(Ge)、約3.4 eVは窒化ガリウム(GaN)の値に近く、GaNはワイドギャップ半導体に分類されます。

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