半導体物性

室温におけるゲルマニウム(Ge)のバンドギャップに最も近い値はどれか。

  1. A約0.66 eV
  2. B約1.42 eV
  3. C約1.12 eV
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正解：A. 約0.66 eV

ゲルマニウムのバンドギャップは室温で約0.66 eVで、シリコン(約1.12 eV)より小さい値です。バンドギャップが小さいため真性キャリア密度が大きく、高温では漏れ電流が増えやすくなります。約1.42 eVはGaAsの値です。

  • A. 正しい。Geはシリコンよりバンドギャップが小さい半導体です。
  • B. 約1.42 eVはGaAs(ヒ化ガリウム)の値です。
  • C. 約1.12 eVはシリコンの値です。
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