氧化與擴散

矽的乾式熱氧化中發生的化學反應,下列何者正確?

  1. ASi + O2 → SiO2
  2. BSi + N2 → SiN
  3. CSiO2 + H2 → Si + H2O
查看答案與解析

正確答案:A. Si + O2 → SiO2

在乾式氧化中,矽與氧在高溫下反應生成二氧化矽(Si + O2 → SiO2)。濕式氧化使用水蒸氣,發生 Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 的反應,產生的氫有一部分殘留在膜中,因此濕式氧化層的密度略低。無論哪一種,氧化劑都在膜中擴散並於介面反應,一邊消耗矽一邊使膜成長。

  • A. 正確。矽與氧生成 SiO2。
  • B. 與氮反應不會形成氧化層。
  • C. 這是將氧化層還原的逆向反應,不是氧化。
練習這個領域 前往領域頁面

氧化與擴散的其他題目

  1. 矽的熱氧化一般進行的溫度範圍,下列何者最接近?
  2. 關於半導體製造中雜質的「擴散」,下列說明何者正確?
  3. 關於矽熱氧化層的典型用途,下列何者正確?
  4. 擴散係數 D 的單位,下列何者正確?
  5. 關於菲克第一定律的內容,下列何者正確?(J:擴散通量,D:擴散係數,C:濃度,x:位置)