依 Deal-Grove 模型，熱氧化是在何處進行的？

正確答案：C. 氧化劑在氧化層中擴散，並在 Si/SiO2 介面與矽反應

在 Deal-Grove 模型（1965 年）中，認為氧化劑從氣相被吸收到氧化層表面，在膜中擴散，於與矽的介面反應而產生新的氧化層。因此氧化層是在介面側成長，介面始終是新的表面。氧化層越厚，擴散距離越長，成長也就越慢。該模型令這三個步驟的通量相等，用一個式子同時表示出線性定律與拋物線定律。