氧化與擴散
關於矽的熱氧化，下列對乾式氧化（O2）與濕式氧化（H2O）的比較，何者正確？
- A乾式氧化的氧化層成長速率較快
- B濕式氧化的氧化層成長速率較快
- C兩者的成長速率相同
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正確答案：B. 濕式氧化的氧化層成長速率較快
使用水蒸氣的濕式氧化，其氧化劑 H2O 在 SiO2 中的溶解度比 O2 高數百倍，因此成長速率比乾式氧化快數倍至 10 倍左右。例如在 1000 ℃、1 小時的條件下，乾式約為 70 nm，濕式約為 400 nm。濕式氧化適合需要厚膜的元件隔離與遮罩。乾式氧化雖然較慢，但能形成緻密、介面態少的優質薄膜，膜厚也容易控制，因此一直被用於薄的閘極氧化層。