氧化與擴散
優質熱氧化層（SiO2）的介電崩潰電場的大致標準，下列何者正確？
- A約 10 MV/cm
- B約 10 V/cm
- C約 10 kV/cm
查看答案與解析
正確答案：A. 約 10 MV/cm
優質熱氧化層的介電崩潰電場約為 10 MV/cm，若厚度為 10 nm，計算上約在 10 V 時崩潰。不過，即使電場低於此值，長時間施加也會逐漸產生缺陷而導致崩潰（經時介電崩潰，TDDB），因此實際元件為了能使用 10 年，會在數 MV/cm 以下使用。膜更薄時穿隧電流會變大，所以在崩潰之前，漏電就會先成為問題。