氧化與擴散

熱氧化時添加少量氯化氫(HCl)等含氯氣體,其主要目的為何?

  1. A使氧化層具有導電性
  2. B使氧化速率降為 0
  3. C抑制鈉等可動離子與金屬汙染的影響
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正確答案:C. 抑制鈉等可動離子與金屬汙染的影響

在添加數 % 氯化氫(HCl)等的氣氛中氧化,鈉、鐵等金屬汙染會以揮發性氯化物的形式被移除,或被氧化層中的氯捕捉而失去活性。結果可減少可動離子造成的臨界電壓變動,並提升氧化層的介電崩潰耐壓等可靠度,同時也有減少氧化誘生疊差缺陷的效果。由於具腐蝕性,近年也會使用其他氯源。

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