將含硼的矽熱氧化時，介面附近矽側的硼濃度會有何傾向？

正確答案：A. 因硼容易被氧化層吸收，濃度降低

雜質在矽與 SiO2 的邊界上，兩側的濃度比（偏析係數 m = 矽中濃度／SiO2 中濃度）是固定的。硼的 m ≈ 0.3，容易被吸收到氧化層中，因此矽側表面附近的濃度會下降（pile-down）。磷與砷的 m ≈ 10，不易進入氧化層，而被推擠到矽側，使介面附近的濃度上升（pile-up）。在臨界電壓與通道濃度的設計中必須考慮這一點。