什麼是EOT(等效氧化層厚度)

練習EOT(等效氧化層厚度)的題目

解析中的「EOT(等效氧化層厚度)」

• EOT 是將閘極絕緣膜的電容換算成以 SiO2（相對介電常數 3.9）實現時的膜厚，EOT = 實體膜厚 × 3.9/ε。

  下列關於 EOT（等效氧化層厚度）的說明，何者正確？

• 不過，界面層的相對介電常數低，占 EOT 的大部分，因此要降低 EOT，關鍵在於盡可能把界面層變薄。

  在 High-k/金屬閘極電晶體中，常在矽與 High-k 膜（鉿系氧化膜等）之間設置極薄的 SiO2 等層，其原因為…

• 導入氮可抑制硼的擴散，且相對介電常數會從 3.9 提高到 5～6 左右，因此在相同的 EOT 下可做得物理上更厚，漏電也減少。

  在閘極氧化層中導入氮而形成氮氧化膜（SiON）的主要目的為何？

• 熱氧化層（SiO2）的相對介電常數約為 3.9，是比較閘極絕緣膜性能的 EOT（等效氧化層厚度）之基準。

  與熱氧化形成的 SiO2 薄膜相對介電常數最接近的值為何？

• 由於可將氮集中在表面側，因此不會損及 Si/SiO2 介面的特性（遷移率等），即可抑制硼穿透、提高介電常數並使 EOT 變薄。

  在薄閘極氧化層的表面，導入以電漿產生之氮的處理稱為什麼？

出現「EOT(等效氧化層厚度)」的題目（5題）

1. 下列關於 EOT（等效氧化層厚度）的說明，何者正確？
2. 在 High-k/金屬閘極電晶體中，常在矽與 High-k 膜（鉿系氧化膜等）之間設置極薄的 SiO2 等層，其原因為何？
3. 在閘極氧化層中導入氮而形成氮氧化膜（SiON）的主要目的為何？
4. 與熱氧化形成的 SiO2 薄膜相對介電常數最接近的值為何？
5. 在薄閘極氧化層的表面，導入以電漿產生之氮的處理稱為什麼？

相關名詞

氮氧化矽膜(SiON) 遷移率 反轉層 臨界電壓 熱氧化 低介電常數材料(Low-k) 電漿 退火 奈米片 後閘極製程(取代式金屬閘極)