氧化與擴散 熱氧化時，因氧化而產生的過量間隙矽被注入矽中而成長的缺陷是哪一個？ ACOP B氧化誘生疊差缺陷（OSF） C凸起（hillock） 查看答案與解析 正確答案：B. 氧化誘生疊差缺陷（OSF） 矽被氧化時，並非所有矽原子都被納入氧化層，其中一部分（約 1000 個中有 1 個）會以間隙矽的形式釋放到基板中。這些間隙矽以金屬汙染或氧析出物等為核聚集，成長為 {111} 面的疊差缺陷，就是氧化誘生疊差缺陷（OSF），若橫跨接面會造成漏電流。可藉由氯氧化以及改善晶圓的結晶品質來減少。