什麼是乾式氧化
使用乾燥氧氣進行的熱氧化。成長較慢，但能形成緻密且品質良好的氧化膜，用於閘極氧化膜等。
日文名稱: ドライ酸化
「乾式氧化」出現在1領域的5道練習題中（氧化與擴散等）。
這個名詞所屬的領域: 氧化與擴散
練習乾式氧化的題目
關於矽的熱氧化，下列對乾式氧化（O2）與濕式氧化（H2O）的比較，何者正確？
- A乾式氧化的氧化層成長速率較快
- B濕式氧化的氧化層成長速率較快
- C兩者的成長速率相同
以乾式氧化製作厚度數十 nm 以下的薄氧化層時，已知會偏離 Deal-Grove 模型的是何者？
- A初期的氧化比模型預測進行得更快
- B完全不會氧化
- C氧化層變成導體
查看答案與解析
正確答案：A. 初期的氧化比模型預測進行得更快
Deal-Grove 模型能很好地描述厚氧化層的成長，但在乾式氧化中膜厚數十 nm 以下的初期區域，實際的氧化比模型預測進行得更快。認為原因可能是氧化劑通過薄膜的其他路徑，以及介面附近應力的影響等。模型將這一部分以初始膜厚（τ，相當於約 20 nm）加以修正，但要決定數 nm 閘極氧化層的厚度，仍必須透過實測來訂定條件。
解析中的「乾式氧化」
使用水蒸氣的濕式氧化，其氧化劑 H2O 在 SiO2 中的溶解度比 O2 高數百倍，因此成長速率比乾式氧化快數倍至 10 倍左右。
關於矽的熱氧化，下列對乾式氧化（O2）與濕式氧化（H2O）的比較，何者正確？Deal-Grove 模型能很好地描述厚氧化層的成長，但在乾式氧化中膜厚數十 nm 以下的初期區域，實際的氧化比模型預測進行得更快。
以乾式氧化製作厚度數十 nm 以下的薄氧化層時，已知會偏離 Deal-Grove 模型的是何者？要在短時間內製作厚膜時會使用高溫濕式氧化；而薄的閘極氧化層為了精密控制膜厚，則以低溫或乾式氧化花時間製作。
提高熱氧化的溫度後，相同時間內所得到的氧化層厚度會如何？在乾式氧化中，矽與氧在高溫下反應生成二氧化矽（Si + O2 → SiO2）。
矽的乾式熱氧化中發生的化學反應，下列何者正確？轉換的大致標準是厚度約 A/2，乾式氧化時約為數十 nm～100 nm 左右。
在 Deal-Grove 模型中，熱氧化初期（氧化層仍薄時）的氧化層厚度與時間的關係，下列何者正確？
出現「乾式氧化」的題目（5題）
相關名詞
熱氧化 濕式氧化 可動離子 合成氣體退火 界面能態 氧化增強擴散(OED) 鳥嘴效應 氮氧化矽膜(SiON) 熱擴散 驅入擴散