氧化與擴散
與熱氧化形成的 SiO2 薄膜相對介電常數最接近的值為何？
- A約 1
- B約 3.9
- C約 25
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正確答案：B. 約 3.9
熱氧化層（SiO2）的相對介電常數約為 3.9，是比較閘極絕緣膜性能的 EOT（等效氧化層厚度）之基準。加入氮的 SiON 約為 5～6，氮化膜（Si3N4）約為 7，High-k 材料氧化鉿約為 20～25。相反地，用於配線之間的 Low-k 材料約在 3 以下，也會使用含有空氣（約 1）的多孔膜與空氣間隙。依用途分別使用高介電常數與低介電常數。