熱氧化層之所以可用作擴散時的雜質遮罩，其原因為何？

正確答案：A. 因為硼與磷等許多雜質在 SiO2 中比在矽中更難擴散

硼、磷、砷等主要雜質在 SiO2 中的擴散比在矽中慢好幾個數量級，因此只要有足夠厚度（數百 nm 左右）的氧化層，就能阻擋雜質進入下方的矽。利用這項特性，僅在氧化層開窗的部分導入雜質的平面（planar）技術，於 1959 年在 Fairchild 公司確立，促成了積體電路的誕生。現在的離子佈植則主要以光阻作為遮罩。