ラインエッジラフネス(LER)とは
らいんえっじらふねす
微細なレジストのパターンの側面に生じる、ナノメートル単位の凹凸。線幅のばらつき(LWR)の原因となり、トランジスタの特性のばらつきにつながる。
この用語の分野: リソグラフィ
らいんえっじらふねす
微細なレジストのパターンの側面に生じる、ナノメートル単位の凹凸。線幅のばらつき(LWR)の原因となり、トランジスタの特性のばらつきにつながる。
この用語の分野: リソグラフィ
LERは、パターンの側面のでこぼこの大きさ(通常は3σで表す)を表す指標で、線幅のばらつきとして表したものはLWRと呼びます。
微細なレジストパターンの側面に生じる、ナノメートル単位の凹凸を表す指標はどれか。これがストカスティクスで、パターンの欠け・つながり、LER、小さな穴の開かない不良などの原因になります。
EUV露光で問題になる確率的なゆらぎ(ストカスティクス)の主な原因として正しいものはどれか。ただしピッチ(繰り返しの間隔)は細くならず、削る量のばらつきやLERがそのまま寸法のばらつきになるため、制御が重要です。
露光でつくったレジストのパターンを、プラズマで少しずつ細らせて、露光の限界より細い線をつくる手法はどれか。EUV露光 プラズマ 位相シフトマスク ArFエキシマレーザー 液浸露光 オーバーレイ(重ね合わせ精度) OPC(光学近接効果補正) 開口数(NA) 化学増幅型レジスト 焦点深度(DOF)