High-NA EUVとは
はいえぬえーいーゆーぶい
投影光学系の開口数(NA)を従来のEUVの0.33から0.55に大きくし、解像度を高めた次世代のEUV露光装置。
この用語の分野: リソグラフィ
はいえぬえーいーゆーぶい
投影光学系の開口数(NA)を従来のEUVの0.33から0.55に大きくし、解像度を高めた次世代のEUV露光装置。
この用語の分野: リソグラフィ
従来のEUV露光装置の開口数は0.33ですが、High-NA EUVでは0.55に大きくし、解像度を約1.7倍に高めて、ピッチ20 nm台前半のパターンを1回で露光できるようにしました。
次世代のEUV露光装置として開発された「High-NA EUV」の特徴として正しいものはどれか。High-NA EUVでは方向によって1/4と1/8の縮小を組み合わせます。
現在の露光装置(スキャナー)で一般的な、マスクのパターンをウエハ上に投影するときの縮小倍率はどれか。High-NA EUVではこの半分です。
現在のスキャナー型露光装置で、1回の露光(1ショット)でウエハ上に露光できる最大の領域の大きさとして一般的なものはどれ…スキャナー EUV露光 開口数(NA) 焦点深度(DOF) GPU チップレット 位相シフトマスク ArFエキシマレーザー 液浸露光 オーバーレイ(重ね合わせ精度)