什麼是導通電阻

功率半導體在導通時，電流流經路徑的電阻。越小，導通時的損耗越少。

日文名稱: オン抵抗

「導通電阻」出現在2領域的2道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）, 矽晶圓等）。

這個名詞所屬的領域: 功率半導體

練習導通電阻的題目

在微縮進展的電晶體中，作為限制性能之因素而日趨重要的是什麼？

  1. A源極、汲極與接觸的寄生電阻，以及閘極周圍的寄生電容
  2. B晶圓的直徑
  3. C封裝的顏色
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正確答案：A. 源極、汲極與接觸的寄生電阻，以及閘極周圍的寄生電容

電晶體變小後，相較於通道的電阻，源極、汲極與接觸的電阻所占的比例變大，在先進世代中甚至占導通電阻的近一半。此外，閘極與接觸的間隔縮窄到十幾 nm，寄生電容也隨之增加。因此，接觸材料的改良、氣隙與低介電常數間隔物、從背面供電等本徵部分以外的改良，成為提升性能的重心。

高濃度摻入砷或銻的低電阻n⁺矽晶圓，其主要用途下列哪一項是正確的？

  1. A影像感測器的受光層本身
  2. B太陽能電池的抗反射膜
  3. C作為成長低濃度磊晶層的基板，或垂直型功率元件汲極側的基板
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正確答案：C. 作為成長低濃度磊晶層的基板，或垂直型功率元件汲極側的基板

高濃度、低電阻(0.001〜0.01 Ω·cm左右)的n⁺晶圓，被用作在其上成長低濃度磊晶層的磊晶晶圓之基板。在垂直型功率MOSFET與二極體中，電流是在基板中縱向流動，所以降低基板電阻就能降低導通電阻。依偏析與蒸發的性質，砷、銻、磷各有其適用處，抑制往磊晶層的滲出(自摻雜，autodoping)是課題。

解析中的「導通電阻」

出現「導通電阻」的題目（2題）

  1. 在微縮進展的電晶體中，作為限制性能之因素而日趨重要的是什麼？
  2. 高濃度摻入砷或銻的低電阻n⁺矽晶圓，其主要用途下列哪一項是正確的？

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氣隙 背面供電 自摻雜 切換損耗 功率 MOSFET 本體二極體 死區時間 尾電流 柔性切換 常閉型(Normally-off)

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