什麼是InP(磷化銦)

由銦與磷構成的化合物半導體。作為使 InGaAs 等晶格匹配成長的基板，用於光纖通訊用的雷射與受光元件，以及高速電晶體。

日文名稱: InP(リン化インジウム)

「InP(磷化銦)」出現在3領域的11道練習題中（化合物半導體, 半導體物性, 影像感測器與光電元件等）。

這個名詞所屬的領域: 化合物半導體

練習InP(磷化銦)的題目

下列何者是InP（磷化銦）系化合物半導體主要的用途？

  1. A光纖通訊用的雷射與受光元件
  2. B太陽能電池用的多晶基板
  3. CDRAM的電容器
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正確答案：A. 光纖通訊用的雷射與受光元件

在InP基板上製作的InGaAsP等可藉由改變組成來調整能隙，能對光纖損耗小的1.3 µm波段（色散小）與1.55 µm波段（損耗約0.2 dB/km，為最小）的光進行發光與受光。因此用於光通訊用的半導體雷射、調變器與光電二極體，隨著資料中心光收發器的需求擴大，其重要性也日益提高。也用於超高速的HBT與HEMT。

下列何者是使用InP或GaAs的HBT（異質接面雙極性電晶體）所用於的應用範例？

  1. ADRAM的記憶單元
  2. B光通訊或無線通訊的高速、高頻電路
  3. C利用太陽光的熱發電
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正確答案：B. 光通訊或無線通訊的高速、高頻電路

化合物半導體的HBT利用寬能隙的射極抑制電洞的逆注入，使基極能做到高濃度且薄，加上電子遷移率高，因此速度快。GaAs系（InGaP/GaAs）HBT可用單一電源運作且效率高，是智慧型手機傳送用功率放大器的主流；InP系HBT則運用數百GHz的fT，用於超過100 Gb/s的光通訊電子電路與太赫茲頻段的研究。

解析中的「InP(磷化銦)」

出現「InP(磷化銦)」的題目（11題）

  1. 下列何者是InP（磷化銦）系化合物半導體主要的用途？
  2. 下列何者是使用InP或GaAs的HBT（異質接面雙極性電晶體）所用於的應用範例？
  3. 在InP基板上使調整過組成的InGaAs晶格匹配地成長，下列何者是其正確的優點？
  4. 關於矽的能帶結構類型，下列何者正確？
  5. 在矽這類間接躍遷型半導體中，電子與電洞複合而發光的機率低，其原因下列何者正確？
  6. 用於接收光纖通訊1.55 µm波段光的光電二極體，適合使用的材料為下列何者？
  7. 下列何者被歸類為III-V族化合物半導體？
  8. 關於GaAs等化合物半導體晶圓的一般口徑，下列何者正確？
  9. 與矽相比，下列何者是GaAs熱導率的正確描述？
  10. 在矽光子學中，下列何者是將化合物半導體與雷射光源結合的正確理由？
  11. 混晶半導體（如AlGaAs）的晶格常數隨組成大致呈線性變化的經驗法則，稱為什麼？

相關名詞

GaAs(砷化鎵) GaN(氮化鎵) 能隙 SiC(碳化矽) HBT(異質接面雙載子電晶體) HEMT(高電子遷移率電晶體) 遷移率 貫穿(Punch-through) CMOS 混晶半導體

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