什麼是GaAs(砷化鎵)
由鎵與砷構成的 III-V 族化合物半導體。為直接能隙，能隙約 1.42 eV。電子遷移率高，用於高頻電晶體、紅外線 LED 與雷射。
日文名稱: GaAs(ガリウムヒ素)
這個名詞所屬的領域: 化合物半導體
相關名詞
二維電子氣(2DEG) 直接能隙 效率下垂 混晶半導體 量子井 維加德定律 寬能隙半導體 纖鋅礦結構 Ga2O3(氧化鎵) GaN(氮化鎵)
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