什麼是HBT(異質接面雙載子電晶體)

射極與基極使用能隙不同材料的雙載子電晶體。有 SiGe、GaAs 系等，用於高頻放大器。

日文名稱: HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)

「HBT(異質接面雙載子電晶體)」出現在1領域的4道練習題中（雙載子電晶體等）。

這個名詞所屬的領域: 雙載子電晶體

練習HBT(異質接面雙載子電晶體)的題目

關於SiGe HBT（異質接面雙極性電晶體），下列特徵何者正確？

  1. A是將基極做成金屬的電晶體
  2. B基極採用SiGe的異質接面，容易工作到高頻率
  3. C電流增益固定在1以下
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正確答案：B. 基極採用SiGe的異質接面，容易工作到高頻率

SiGe HBT是在基極使用能隙較小的SiGe的異質接面雙極性電晶體。射極與基極的能隙差可抑制電洞的逆向注入，因此能在維持注入效率的同時，使基極高濃度且變薄，還可以讓Ge濃度呈梯度分布，在基極內產生電場來加速電子。fT可達數百GHz，且能以矽製程製造，因此用於智慧型手機的高頻電路、光通訊與車用雷達。

解析中的「HBT(異質接面雙載子電晶體)」

出現「HBT(異質接面雙載子電晶體)」的題目（4題）

  1. 關於SiGe HBT（異質接面雙極性電晶體），下列特徵何者正確？
  2. 在NPN電晶體中，使射極的雜質濃度高於基極，其主要理由是哪一個？
  3. 關於雙極性電晶體的截止頻率fT（transition frequency），下列意義何者正確？
  4. 將雙極性電晶體與CMOS整合在同一晶片的技術及其目的的組合，下列何者正確？

出現這個名詞的比較

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