什麼是Ga2O3(氧化鎵)

能隙約 4.5〜4.9 eV，比 SiC 與 GaN 更大的氧化物半導體。可由熔融液生長晶體，作為下一世代的功率半導體材料，研究正在進展。

日文名稱: Ga2O3(酸化ガリウム)

「Ga2O3(氧化鎵)」出現在2領域的3道練習題中（功率半導體, 化合物半導體等）。

這個名詞所屬的領域: 化合物半導體

練習Ga2O3(氧化鎵)的題目

下列何者是作為下一世代功率半導體材料而研究不斷進展的氧化鎵（Ga2O3）的特徵？

  1. A能隙比Si小
  2. B在常溫下如金屬般運作
  3. C具有比SiC或GaN更大的能隙（約4.5～4.9 eV）
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正確答案：C. 具有比SiC或GaN更大的能隙（約4.5～4.9 eV）

Ga2O3的能隙約為4.5～4.9 eV，比SiC與GaN更大，預估崩潰電場約為8 MV/cm，是有望達成更高耐壓與更低損耗的材料。與SiC及GaN不同，它可從熔液中成長晶體，因此基板有可能便宜且大口徑化，由日本的企業與研究機構引領開發。另一方面，不易製作p型與熱導率低是其課題。

解析中的「Ga2O3(氧化鎵)」

出現「Ga2O3(氧化鎵)」的題目（3題）

  1. 下列何者是作為下一世代功率半導體材料而研究不斷進展的氧化鎵（Ga2O3）的特徵？
  2. 像SiC與GaN這樣，能隙比矽大的半導體之總稱為下列何者？
  3. 在比較單極性功率元件材料性能的「巴利加優值（Baliga figure of merit）」中，影響特別大的材料物性值為下列何者？

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