バイポーラトランジスタ

SiGe HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)の特徴として正しいものはどれか。

  1. Aベースを金属にしたトランジスタである
  2. BベースにSiGeを用いたヘテロ接合により、高い周波数まで動作しやすい
  3. C電流増幅率が1以下に固定されている
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正解：B. ベースにSiGeを用いたヘテロ接合により、高い周波数まで動作しやすい

SiGe HBTは、ベースにバンドギャップの小さいSiGeを使ったヘテロ接合バイポーラトランジスタです。エミッタからの注入効率を保ったままベースを高濃度・薄くでき、ベース内に電界をつくってキャリアを加速することもできるため、高周波特性に優れ、通信用ICなどに使われます。

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