SiGe HBTのベース層を形成するのに使われる技術として正しいものはどれか。

正解：A. エピタキシャル成長(Ge濃度を深さ方向に変化させることもある)

SiGe HBTのベースは、シリコンの上にSiGe層をエピタキシャル成長させてつくります。Geの濃度をエミッタ側からコレクタ側に向けて増やすと、バンドギャップの傾きによってベース内に電界ができ、電子が加速されて高速動作に有利になります。