半導体物性

シリコンにおける電子と正孔の移動度の比較として正しいものはどれか。

  1. A電子の移動度のほうが大きい
  2. B正孔の移動度のほうが大きい
  3. C両者は常に等しい
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正解：A. 電子の移動度のほうが大きい

シリコンでは、室温・低不純物濃度で電子の移動度が約1400 cm²/V·s、正孔の移動度が約450 cm²/V·sと、電子の方が約3倍大きくなります。このため、同じ寸法ならnMOSの方がpMOSより大きな電流を流せます。

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