先端トランジスタ(FinFET・GAA) pMOSのチャネル材料として、シリコンの代わりにSiGeやゲルマニウムが検討・採用されている理由はどれか。 A正孔の移動度が高いため B電子の移動度が非常に低いため C材料が安価なため 答えと解説を見る 正解：A. 正孔の移動度が高いため ゲルマニウムやSiGeは、シリコンより正孔の移動度が高く、pMOSの駆動電流を大きくできます。SiGeチャネルのpMOSは、しきい値電圧の調整にも役立つため、先端のプロセスで採用されています。