SiGe(シリコンゲルマニウム)란?

しりこんげるまにうむ

シリコンとゲルマニウムの混晶。シリコンより格子定数が大きく、エピタキシャル成長でチャネルにひずみを加えたり、HBTのベースやGAAの犠牲層に使ったりする。

일본어 명칭: SiGe(シリコンゲルマニウム)

SiGe(シリコンゲルマニウム)은(는) 바이폴라 트랜지스터, 화합물 반도체 등 2개 분야의 연습 문제 4개에 나와요.

분야: 에피택셜 성장

도전해 보기: SiGe(シリコンゲルマニウム) 관련 문제

SiGe HBT(헤테로접합 바이폴라 트랜지스터)의 특징으로 올바른 것은?

  1. A베이스를 금속으로 만든 트랜지스터이다
  2. B베이스에 SiGe를 사용한 헤테로접합으로 높은 주파수까지 동작하기 쉽다
  3. C전류 증폭률이 1 이하로 고정되어 있다
정답과 해설 보기

정답: B. 베이스에 SiGe를 사용한 헤테로접합으로 높은 주파수까지 동작하기 쉽다

SiGe HBT는 베이스에 밴드갭이 작은 SiGe를 사용한 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터입니다. 에미터와 베이스의 밴드갭 차이가 정공의 역주입을 억제하므로 주입 효율을 유지한 채 베이스를 고농도·박막으로 만들 수 있고, Ge 농도에 경사를 주어 베이스 내에 전계를 만들어 전자를 가속할 수도 있습니다. fT가 수백 GHz에 달하고 실리콘 공정으로 만들 수 있어 스마트폰의 고주파 회로, 광통신, 차량용 레이더에 사용되고 있습니다.

실리콘게르마늄(SiGe)의 분류로 올바른 것은?

  1. AIII-V족 화합물 반도체
  2. BIV족 원소끼리의 혼정(합금) 반도체
  3. CII-VI족 화합물 반도체
정답과 해설 보기

정답: B. IV족 원소끼리의 혼정(합금) 반도체

SiGe는 같은 IV족인 실리콘과 게르마늄을 임의의 비율로 섞은 혼정(합금) 반도체입니다. 둘 다 다이아몬드 구조이며 전 조성에서 섞이고, Ge를 늘리면 밴드갭이 작아지고 격자 상수가 커집니다. 실리콘 공정과 궁합이 좋아 HBT의 베이스, pMOS의 소스·드레인에 압축 변형을 주는 층, GAA 트랜지스터를 만들 때의 희생층 등에 사용됩니다.

해설 속 SiGe(シリコンゲルマニウム)

SiGe(シリコンゲルマニウム)이(가) 나오는 문제 (4)

  1. SiGe HBT(헤테로접합 바이폴라 트랜지스터)의 특징으로 올바른 것은?
  2. 실리콘게르마늄(SiGe)의 분류로 올바른 것은?
  3. 바이폴라 트랜지스터의 트랜지션 주파수 fT의 의미로 올바른 것은?
  4. 바이폴라 트랜지스터와 CMOS를 같은 칩에 집적하는 기술과 그 목적의 조합으로 올바른 것은?

관련 용어

HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) GAA(ゲートオールアラウンド) CMOS 4H-SiC 格子不整合 貫通転位 臨界膜厚 選択エピタキシャル成長 積層欠陥 超格子

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